華南理工大學材料科學與工程學院寸陽珂同學使用標旗光電電致發光光譜儀（測量系統）開展發光材料方面的研究，采集到隨時間變化的三維動態光致發光光譜數據，在國際期刊《Journal of Materials Chemistry C》（2020年2月12日）上發表了題為“All-solution processsed high performance invered quantum dot”的高水平學術論文，影響因子6.64。 

摘要

    MOTFT具有高電子遷移率、低制造成本等優點。倒裝QLEDs的陰極與n 型的MOTFT的漏極能夠直接連接，降低了驅動像素的電壓，具有n型MOTFT的QLEDs是有源矩陣驅動方案QLEDs的首選。然而，大多數倒裝QLEDs是通過溶液沉積的QDs層與真空蒸鍍的空穴傳輸層結合在一起制成的。與昂貴的真空工藝相比，溶液加工工藝的解決方案經濟高效。針對全溶液倒裝QLEDs的技術難點，著力解決PEDOT: PSS無法在空穴傳輸材料上成膜以及空穴注入勢壘較大的問題。首次采用雙摻雜的PEDOT: PSS，在疏水性PVK層上形成光滑均勻的膜。在QDs/PVK引入了界面偶極層PEI，PEI的引入不僅形成界面偶極降低空穴注入勢壘，而且PEI中的胺基作為電子供體鈍化電子陷阱，抑制熒光猝滅。進一步減小起亮電壓和提高了器件效率和穩定性。全溶液倒裝RGB-QLEDs最大CE分別達到28.1 cd/A，43.1 cd/A和1.26 cd/A，最大EQE分別增加到20.6 %，10.4 %和2.95 %，最大亮度分別達到5.06×104 cd/m2，1.21×105 cd/m2和2.96×103 cd/m2。根據目前所報道的文獻，R-QLEDs的效率是全溶液倒裝R-QLEDs中最高的EQE之一。此外，R-QLEDs的壽命T50@ 100 cd/m2延長至8253小時，創造了全溶液倒裝R-QLEDs器件新的記錄。

儀器應用